特許
J-GLOBAL ID：201103068703908982
気化器、処理装置、処理方法、及び半導体チップの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤元 亮輔
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-094537
公開番号（公開出願番号）：特開2000-282242
特許番号：特許第4439030号
出願日： 1999年04月01日
公開日（公表日）： 2000年10月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】液体状態の処理媒体を受け取る導入部と、
前記導入部に接続され、前記液体状態の処理媒体の流量を制御する流量制御部と、
前記流量制御部に接続され、前記流量制御部にて流量が制御された前記液体状態の処理媒体を気化するためのキャリアガスを導入するガス導入部と、
前記ガス導入部に接続され、前記ガス導入部より導入されたキャリアガスと前記液体状態の処理媒体を混合して加熱する気化部と、
前記気化部において前記キャリアガス及び前記液体状態の処理媒体を加熱する第1のヒータと、
前記第1のヒータを制御する第1の制御部と、
一端が前記気化部に接続され、前記気化部において加熱された前記キャリアガス及び前記処理媒体を前記一端から他端に通す接続部と、
当該接続部を加熱する第2のヒータと、
前記接続部を前記処理媒体の蒸発温度よりも高い温度で加熱するように前記第2のヒータを制御する第2の制御部と、を有し、
前記接続部の加熱温度は前記気化部の加熱温度以上である気化器。
IPC (3件)：
C23C 16/448 ( 200 6.01)
, C23C 16/18 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
C23C 16/448
, C23C 16/18
, H01L 21/205
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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