半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-159189
公開番号（公開出願番号）：特開2002-356796
特許番号：特許第3534717号
出願日： 2001年05月28日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】表面に段差を有する半導体基板の段差部をフォトレジストで充填する工程と、充填されたフォトレジストの表面を含む半導体基板上に、電解メッキ用の給電金属薄膜を形成する工程と、電解メッキにより段差部以外の給電金属薄膜上に配線を形成する工程とを含み、前記充填されたフォトレジストが、その中央部が端部より厚く、かつ順テーパー形状を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：