発光ダイオードおよびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (10件)：中村稔 , 大塚文昭 , 熊倉禎男 , 宍戸嘉一 , 竹内英人 , 今城俊夫 , 小川信夫 , 村社厚夫 , 西島孝喜 , 箱田篤
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-154957
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031539
特許番号：特許第4677065号
出願日： 1999年06月02日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板(12)と、前記基板上に形成されたバッファ層(14)と、前記バッファ層上に形成され、酸素に対して親和力を持つドーパントを含む界面層(16)と、前記界面層上に形成されたn型層(18)と、前記n型層上に形成された活性領域(20)と、前記活性領域上に形成されたp型層(22)と、一方が前記n型層に接続されており、他方が前記p型層に接続された2つの電気コンタクト(24A、24B)と、を備えて成り、前記ドーパントが、Mg、Zn、およびCdのうちの1つである発光ダイオード(10)。

IPC (2件)：