特許
J-GLOBAL ID：201103069663562855

半導体デバイス、半導体デバイスを形成する方法、および集積回路

発明者：
フランク、マーティン、マイケル

フランク、マーティン、マイケル について

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クーマー、アルヴィンド

クーマー、アルヴィンド について

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ナラヤナン、ヴィジャイ

ナラヤナン、ヴィジャイ について

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パルチュリ、ヴァムシ

パルチュリ、ヴァムシ について

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スレイト、ジェフリー

スレイト、ジェフリー について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション について


代理人 (3件)： 上野 剛史 ,  太佐 種一 ,  市位 嘉宏
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-530388
公開番号（公開出願番号）：特表2011-501450
出願日： 2008年09月30日
公開日（公表日）： 2011年01月06日
要約：
【課題】 相互に異なるしきい値電圧要件を有する複数のトランジスタを結合するための技法を提供する。【解決手段】 一態様では、半導体デバイスは、第1および第2のnFET領域と第1および第2のpFET領域とを有する基板と、第1のnFET領域の上の基板上のロジックnFETと、第1のpFET領域の上の基板上のロジックpFETと、第2のnFET領域の上の基板上のSRAM nFETと、第2のpFET領域の上の基板上のSRAM pFETとを含み、そのそれぞれが、高K層の上の金属層を有するゲート・スタックを含む。ロジックnFETゲート・スタックは、高K層から金属層を分離するキャッピング層をさらに含み、キャッピング層は、ロジックpFET、SRAM nFET、およびSRAM pFETのうちの1つまたは複数のしきい値電圧に対してロジックnFETのしきい値電圧をシフトするようにさらに構成される。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
少なくとも第1および第2のnFET領域と少なくとも第1および第2のpFET領域とを有する基板と、 前記第1のnFET領域の上の前記基板上の少なくとも1つのロジックnFETと、 前記第1のpFET領域の上の前記基板上の少なくとも1つのロジックpFETと、 前記第2のnFET領域の上の前記基板上の少なくとも1つのSRAM nFETと、 前記第2のpFET領域の上の前記基板上の少なくとも1つのSRAM pFETとを含み、 前記ロジックnFET、ロジックpFET、SRAM nFET、およびSRAM pFETのそれぞれが、高K層の上の金属層を有するゲート・スタックを含み、 前記ロジックnFETゲート・スタックが、前記高K層から前記金属層を分離するキャッピング層をさらに含み、前記キャッピング層が、前記ロジックpFET、SRAM nFET、およびSRAM pFETのうちの1つまたは複数のしきい値電圧に対して前記ロジックnFETのしきい値電圧をシフトするようにさらに構成される、半導体デバイス。
IPC (8件)：
H01L 27/11 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/10 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/088
FI (12件)：
H01L27/10 381 ,  H01L27/10 461 ,  H01L27/10 481 ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 617L ,  H01L27/08 321C ,  H01L27/08 102B ,  H01L29/78 618B
Fターム (119件)：
5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB04 ,  5F048BB05 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BB15 ,  5F048BB17 ,  5F048BD01 ,  5F048BD04 ,  5F048BD05 ,  5F048BE03 ,  5F048BE04 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F083BS09 ,  5F083BS12 ,  5F083BS21 ,  5F083BS24 ,  5F083BS27 ,  5F083BS41 ,  5F083BS44 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083GA30 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA12 ,  5F083JA31 ,  5F083JA33 ,  5F083JA35 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083NA01 ,  5F083PR09 ,  5F083PR25 ,  5F083PR42 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR52 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F083ZA04 ,  5F083ZA07 ,  5F083ZA12 ,  5F110AA08 ,  5F110BB04 ,  5F110BB07 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE31 ,  5F110FF01 ,  5F110FF09 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110NN02 ,  5F110NN24 ,  5F110NN28 ,  5F110NN62 ,  5F110NN78 ,  5F140AA00 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140AC28 ,  5F140AC32 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE17 ,  5F140BF03 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14 ,  5F140BG10 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG38 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK34 ,  5F140CB04 ,  5F140CC08
引用特許：
審査官引用 (6件)
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