特許

J-GLOBAL ID：201103069766510322

窒化物半導体素子

発明者： 谷沢 公二 ,  成松 宏記 ,  堺 智映 ,  三谷 友次
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (2件)： 河宮 治 ,  石井 久夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-113051
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307149
特許番号：特許第3656456号
出願日： 1999年04月21日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板上に、少なくともn型窒化物半導体層、活性層及びp型窒化物半導体層を順に有する窒化物半導体素子において、 前記活性層が、井戸層にInを有する窒化物半導体を含んでなる量子井戸構造であり、 該活性層上に、 Alを含んでなる第1の窒化物半導体層と、該第1の窒化物半導体層と異なる組成を有する第2の窒化物半導体層とが積層されてなり、さらに前記第1の窒化物半導体層及び第2の窒化物半導体層の少なくとも一方にMgを含有してなるp型多層膜層と、 該p型多層膜層上に、前記p型多層膜層のMg濃度より高濃度で且つ1×1019/cm3よりも高濃度のMgを含有するp型高濃度ドープ層と、 該p型高濃度ドープ層上に、前記p型多層膜層のMg濃度より高濃度で且つ前記p型高濃度ドープ層のMg濃度より低濃度でMgを含有するp型コンタクト層とを、 少なくとも順に有することを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/042

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/042 614

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-166174   出願人：昭和電工株式会社
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-187070   出願人：日亜化学工業株式会社
• 3族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-252896   出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-227835   出願人：松下電器産業株式会社