特許
J-GLOBAL ID：201103070117230432

パワー半導体モジュールの製造方法

発明者：
浅井 竜彦

浅井 竜彦 について

, 
渡邉 裕彦

渡邉 裕彦 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-253902
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076254
特許番号：特許第4085563号
出願日： 2000年08月24日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体チップと、その半導体チップを搭載する配線基板と、配線基板側とは反対側の半導体チップの電極を配線基板の電極に接続するためのリードフレームと、によって構成されるパワー半導体モジュールを製造するための製造方法において、 半導体チップのエミッタ電極及びゲート電極を配線基板のエミッタ用電極及びゲート用電極のそれぞれに直接にリフロー半田接合処理によって半田接合し、半導体チップのコレクタ電極を、コの字形の両先端部の面を配線基板の面と同一平面になるように曲げられた形状のリードフレームにリフロー半田接合処理によって半田接合し、曲げられたリードフレームの両先端部を配線基板のコレクタ用電極にリフロー半田接合処理によって半田接合するものであって、 半導体チップの電極に予備半田層を形成する予備半田工程と、 配線基板の電極上にクリーム半田層を塗布するクリーム半田層塗布工程と、 塗布されたクリーム半田層上に、半導体チップのエミッタ電極及びゲート電極を位置合わせして半導体チップを搭載し、半導体チップのコレクタ電極上に半田板を搭載し、リードフレームの両先端部を配線基板のコレクタ用電極上に塗布されたクリーム半田層に位置合わせして、リードフレームを前記半田板上に搭載する部材セット工程と、 前記部材セット工程で各部材がセットされた状態で、半導体チップのエミッタ電極及びゲート電極と配線基板のエミッタ用電極及びゲート用電極とのそれぞれの間、半導体チップのコレクタ電極とリードフレームとの間、および、リードフレームの両先端部と配線基板のコレクタ用電極との間を、それぞれ、熱処理によって半田接合するリフロー半田接合処理を行なうリフロー半田接合工程と、 を有することを特徴とするパワー半導体モジュールの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 25/07 ( 200 6.01) ,  H01L 25/18 ( 200 6.01) ,  H01L 23/48 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 25/04 C ,  H01L 23/48 G
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • パワーデバイスチップの実装構造
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-160761   出願人：日産自動車株式会社
  • 特公昭57-039047
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-019431   出願人：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社
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審査官引用 (6件)
  • パワーデバイスチップの実装構造
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-160761   出願人：日産自動車株式会社
  • 特公昭57-039047
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-019431   出願人：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社
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