半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：角田芳末 , 伊藤仁恭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-346415
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151985
特許番号：特許第3968500号
出願日： 2001年11月12日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基体上に形成された絶縁膜の開口を含むように、エピタキシャル層から成るベース領域を有するバイポーラトランジスタが形成されて成る半導体装置であって、下層からシリコン層のバッファ層、SiGe層、シリコンキャップ層の3層構造により成るシリコン混晶層によって、上記エピタキシャル層から成るベース領域が形成され、上記シリコン混晶層から成る上記ベース領域のうち、単結晶シリコン混晶層上及び多結晶シリコン混晶層上に、多結晶シリコン膜を介してコバルトシリサイドが形成されて成ることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：