特許
J-GLOBAL ID:201103070850787036
パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
高松 猛
, 矢澤 清純
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-052385
公開番号(公開出願番号):特開2011-186247
出願日: 2010年03月09日
公開日(公表日): 2011年09月22日
要約:
【課題】線幅バラツキに優れたパターンを形成できるとともに、露光ラチテュード及び、感度に優れたパターン形成方法及びこれに用いる化学増幅レジスト組成物を提供する。【解決手段】(A)樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する、下記一般式(I)又は(II)で表される化合物、(C)架橋剤、及び、(D)溶剤を含有する化学増幅型レジスト組成物の膜を露光し、有機溶剤を含む現像液を用いて現像するパターン形成方法。【選択図】なし
請求項(抜粋):
(ア)化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、
(イ)該膜を露光する工程、及び、
(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、
を含むパターン形成方法であり、前記化学増幅型レジスト組成物が、
(A)樹脂、
(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する、下記一般式(I)又は(II)で表される化合物、
(C)架橋剤、及び、
(D)溶剤、
を含有することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (6件):
G03F 7/004
, G03F 7/038
, G03F 7/32
, H01L 21/027
, C08F 220/10
, G03F 7/039
FI (7件):
G03F7/004 503A
, G03F7/004 501
, G03F7/038 601
, G03F7/32
, H01L21/30 502R
, C08F220/10
, G03F7/039 601
Fターム (77件):
2H096AA25
, 2H096BA06
, 2H096EA05
, 2H096GA03
, 2H125AE04P
, 2H125AE05P
, 2H125AE06P
, 2H125AF19P
, 2H125AF20P
, 2H125AF21P
, 2H125AF22P
, 2H125AF36P
, 2H125AF38P
, 2H125AF39P
, 2H125AF45P
, 2H125AF70P
, 2H125AH12
, 2H125AH14
, 2H125AH17
, 2H125AH19
, 2H125AH22
, 2H125AH24
, 2H125AH25
, 2H125AH29
, 2H125AJ12X
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ16Y
, 2H125AJ64X
, 2H125AJ65X
, 2H125AJ66X
, 2H125AJ68X
, 2H125AJ69X
, 2H125AJ92Y
, 2H125AM22P
, 2H125AM23P
, 2H125AM25P
, 2H125AM27P
, 2H125AM30P
, 2H125AM32P
, 2H125AM86P
, 2H125AM99P
, 2H125AN38P
, 2H125AN39P
, 2H125AN42P
, 2H125AN54P
, 2H125AN57P
, 2H125AN65P
, 2H125AN86P
, 2H125BA01P
, 2H125BA26P
, 2H125BA32P
, 2H125BA33P
, 2H125CA12
, 2H125CB09
, 2H125CC01
, 2H125CC17
, 2H125CD05P
, 2H125CD37
, 2H125CD38
, 2H125FA05
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AL09P
, 4J100BA02P
, 4J100BA03P
, 4J100BA15R
, 4J100BA40Q
, 4J100BC03R
, 4J100BC04R
, 4J100BC09P
, 4J100BC09R
, 4J100BC53Q
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100JA38
引用特許:
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