特許
J-GLOBAL ID:201103070850787036

パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-052385
公開番号(公開出願番号):特開2011-186247
出願日: 2010年03月09日
公開日(公表日): 2011年09月22日
要約:
【課題】線幅バラツキに優れたパターンを形成できるとともに、露光ラチテュード及び、感度に優れたパターン形成方法及びこれに用いる化学増幅レジスト組成物を提供する。【解決手段】(A)樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する、下記一般式(I)又は(II)で表される化合物、(C)架橋剤、及び、(D)溶剤を含有する化学増幅型レジスト組成物の膜を露光し、有機溶剤を含む現像液を用いて現像するパターン形成方法。【選択図】なし
請求項(抜粋):
(ア)化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、 (イ)該膜を露光する工程、及び、 (ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、 を含むパターン形成方法であり、前記化学増幅型レジスト組成物が、 (A)樹脂、 (B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する、下記一般式(I)又は(II)で表される化合物、 (C)架橋剤、及び、 (D)溶剤、 を含有することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (6件):
G03F 7/004 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/10 ,  G03F 7/039
FI (7件):
G03F7/004 503A ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/32 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/10 ,  G03F7/039 601
Fターム (77件):
2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096EA05 ,  2H096GA03 ,  2H125AE04P ,  2H125AE05P ,  2H125AE06P ,  2H125AF19P ,  2H125AF20P ,  2H125AF21P ,  2H125AF22P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AF39P ,  2H125AF45P ,  2H125AF70P ,  2H125AH12 ,  2H125AH14 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH22 ,  2H125AH24 ,  2H125AH25 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ12X ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ16Y ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ66X ,  2H125AJ68X ,  2H125AJ69X ,  2H125AJ92Y ,  2H125AM22P ,  2H125AM23P ,  2H125AM25P ,  2H125AM27P ,  2H125AM30P ,  2H125AM32P ,  2H125AM86P ,  2H125AM99P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN54P ,  2H125AN57P ,  2H125AN65P ,  2H125AN86P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125BA33P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC17 ,  2H125CD05P ,  2H125CD37 ,  2H125CD38 ,  2H125FA05 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL09P ,  4J100BA02P ,  4J100BA03P ,  4J100BA15R ,  4J100BA40Q ,  4J100BC03R ,  4J100BC04R ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100BC53Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38
引用特許:
審査官引用 (8件)
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