特許

J-GLOBAL ID：200903000874750455

GaN系化合物半導体受光素子

発明者： 平野 光 ,  上山 智 ,  天野 浩 ,  赤崎 勇
出願人/特許権者： 大阪瓦斯株式会社
代理人 (1件)： 政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-041219
公開番号（公開出願番号）：特開2005-235912
出願日： 2004年02月18日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：

【課題】 検出対象波長の光を透過可能な窒化物半導体基板層上に形成することで、紫外線受光素子として使用可能なGaN系化合物半導体受光素子を提供する。【解決手段】 基板1上に300°C〜800°Cの温度範囲内の低温成長により形成されたAlNまたはAlN組成比が50%以上のAlGaNを主とするバッファ11層と、バッファ11層の上にバッファ層の成長温度より高温で形成されたAlNまたはAlN組成比が50%以上のAlGaNを主とする中間層12と、中間層12の上に形成されたGaN系化合物半導体からなるデバイス層20とを備えてなり、デバイス層20がAlGaNを含む受光領域22を有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に300°C〜800°Cの温度範囲内の低温成長により形成されたAlNまたはAlN組成比が50%以上のAlGaNを主とするバッファ層と、前記バッファ層の上に前記バッファ層の成長温度より高温で形成されたAlNまたはAlN組成比が50%以上のAlGaNを主とする中間層と、前記中間層の上に形成されたGaN系化合物半導体からなるデバイス層とを備えてなり、 前記デバイス層がAlGaNを含む受光領域を有することを特徴とするGaN系化合物半導体受光素子。

IPC (1件)：

H01L31/10

FI (1件)：

H01L31/10 A

Fターム (14件)：

5F049MA02 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049NA03 ,  5F049NA11 ,  5F049NA12 ,  5F049NB07 ,  5F049PA04 ,  5F049PA10 ,  5F049QA04 ,  5F049SE05 ,  5F049SS01 ,  5F049WA05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 紫外線受光素子および火炎センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-195959   出願人：大阪瓦斯株式会社
• 火炎センサ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-088265   出願人：大阪瓦斯株式会社
• 窒化物半導体結晶の製造方法及び窒化物半導体ウエハ並びに窒化物半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-086615   出願人：日立電線株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Japanese Journal of Applied Physics,Vol.37(1998),pp.L316-L318