窒化物半導体発光素子

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：龍華明裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-106578
公開番号（公開出願番号）：特開2008-270805
出願日： 2008年04月16日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：

【課題】本発明は窒化物半導体発光素子に関する。【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、n側半導体領域と、上記n側半導体領域上に形成された活性層と、上記活性層上に形成されたp側半導体領域と、上記n側半導体領域に接続されるように配置されたn側電極と、上記p側半導体領域上に形成されたp側電極と、上記n側半導体領域とp側半導体領域のうち、少なくとも一つの領域内に形成され、上記n側電極より上に配置された少なくとも一つの中間層と、を含む。上記中間層はバンドギャップが相互異なる3層以上が積層された多層構造で、上記多層構造は順次積層されたAlGaN/GaN/InGaNまたはInGaN/GaN/AlGaNの積層物を含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

n側半導体領域と、前記n側半導体領域上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたp側半導体領域と、前記n側半導体領域に接続されるように配置されたn側電極と、前記p側半導体領域上に形成されたp側電極と、前記n側半導体領域とp側半導体領域のうち、少なくとも一つの領域内に形成され、前記n側電極より上に配置された少なくとも一つの中間層と、を含み、前記中間層はバンドギャップが相互異なる3層以上が積層された多層構造で、前記多層構造は順次積層されたAlGaN/GaN/InGaNまたはInGaN/GaN/AlGaNの積層物を含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (6件)：

5F041AA23 , 5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CB36

引用特許：

出願人引用 (11件)

日本特許公開公報平10-135514号
窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-242880 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-237468 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (5件)

窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-242880 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-237468 出願人：株式会社東芝
特許第665364号

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