特許
J-GLOBAL ID：201103072671773092

半導体装置

発明者：
米津 宏雄

米津 宏雄 について


出願人/特許権者：
独立行政法人科学技術振興機構

独立行政法人科学技術振興機構 について


代理人 (1件)： 長谷川 文廣
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-263610
公開番号（公開出願番号）：特開2003-077840
特許番号：特許第3782328号
出願日： 2001年08月31日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン単結晶基板と、 前記シリコン単結晶基板上に、その臨界膜厚以下の厚さに形成されたGaPバッファ層と、 前記GaPバッファ層上に形成され、シリコン単結晶に実質的に格子整合するように窒素(N)を添加したIII -V族化合物半導体からなる複数の半導体層と、 前記複数の半導体層の上に形成されたシリコン半導体層を有する ことを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  C30B 29/40 ( 200 6.01) ,  H01L 21/203 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01) ,  H01L 29/778 ( 200 6.01) ,  H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 33/00 ( 200 6.01) ,  H01S 5/323 ( 200 6.01)
FI (6件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 H ,  H01L 21/203 M ,  H01L 29/80 H ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610
引用特許：
審査官引用 (6件)
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