特許
J-GLOBAL ID：201103072688626824
配線構造を形成する方法及び、配線構造を製造する方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 研一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-382426
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305199
特許番号：特許第4242585号
出願日： 2001年12月17日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】デバイス活性領域から及び/又は前記デバイス活性領域へのエネルギーの伝送を必要とする電気デバイスのための配線構造を形成する方法において、
少なくとも1つのエッチストップ開口(24)を規定する周囲部分(22)を有する少なくとも1つのエッチストップ(12)を含む第1のメタライゼーションパターン(11)を誘電体層(10)の上に塗布する工程と、
接着剤(14)を使用して、前記第1のメタライゼーションパターン及び前記誘電体層の上に保護カバーシート(26)を装着する工程と、
マスク(28)の少なくとも1つの開口(30)を前記少なくとも1つのエッチストップ開口と整列させる工程と、
前記少なくとも1つのマスク開口を通して前記接着剤の第1の部分(36)を除去する工程と、
前記カバーシートを除去する工程と、
前記接着剤の第2の部分(38)を使用して、少なくとも1つの電気デバイス(16)の活性領域(20)が前記エッチストップ周囲部分と整列されるように少なくとも1つの電気デバイス(16)を装着する工程と、
前記接着剤の第2の部分を硬化させる工程と、
前記誘電体層を通って前記少なくとも1つの電気デバイスの少なくとも2つのデバイスパッド(18)に至る少なくとも2つのビア(40)を形成する工程と、
前記少なくとも2つのデバイスパッドと接触するように前記少なくとも2つのビアの中へ延出する第2のメタライゼーションパターン(42)を塗布する工程と、
前記少なくとも1つの電気デバイスの前記活性領域の少なくとも一部の上にある前記誘電体層を除去する工程と、
から成る方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 23/52 ( 200 6.01)
, H01L 23/12 ( 200 6.01)
H01L 21/88 T
, H01L 23/12 501 Z
審査官引用 (7件)
-
光電素子用パッケージおよびその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-361569
出願人：三井化学株式会社
-
半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-010012
出願人：松下電子工業株式会社
-
COG構造の固体撮像素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-175856
出願人：富士フイルムマイクロデバイス株式会社, 富士写真フイルム株式会社
全件表示
前のページに戻る
