特許
J-GLOBAL ID：201103073344503991
イオンプレーティングを用いる成膜体の製造方法及び製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
稲岡 耕作
, 川崎 実夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-146154
公開番号（公開出願番号）：特開2000-336473
特許番号：特許第3933346号
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 真空容器内において被覆対象の上方の耐熱性の蒸発容器に収容された溶融蒸発源を加熱し、
蒸発容器の底面からなる蒸発面に形成された多数の微小な蒸発孔を通して、溶融蒸発源の滴下を防止しつつ溶融蒸発源を蒸気化し、
蒸発容器と被覆対象との間に生成されたプラズマを用いて、溶融蒸発源からの蒸発粒子をイオン化し、これを下方の被覆対象の表面に上方から被着させて成膜するイオンプレーティングを用いる成膜体の製造方法であって、
圧力勾配型キャリアガスを媒介とする放電によって生成された放電プラズマ流を真空容器の側方から真空容器内に連続的に供給し、
供給された放電プラズマ流を磁場手段によって上方へ偏向させて、溶融蒸発源を溜めた放電陽極としての上記蒸発容器の底面からなる蒸発面に当てることにより、蒸発容器の加熱と蒸発原子のイオン化を達成することを特徴とするイオンプレーティングを用いる成膜体の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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