半導体発光装置および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 内藤浩樹 , 永野大介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-354325
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168468
特許番号：特許第3820826号
出願日： 1999年12月14日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】主面が(100)面に対して[011]方向に12°以上17°以下傾斜したGaAs基板の当該主面上に少なくとも発光層を間に含んだダブルヘテロ構造を構成する半導体多層膜が形成された半導体発光装置であって、前記発光層の上にリッジ形状を有する第一導電型のクラッド層と、前記クラッド層の側面上及び前記クラッド層の直下の半導体層上に形成されたAlxGa1-x-yInyP(0≦x≦1、0≦y≦1)よりなる電流狭窄層とを有し、前記電流狭窄層は前記クラッド層の側面上に形成された領域と前記クラッド層の直下の半導体層上に形成された領域とで組成がほぼ等しいことを特徴とする半導体発光装置。

IPC (1件)：