特許
J-GLOBAL ID:201103073703688420

ガリウム砒素単結晶

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 和田 憲治
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-337309
公開番号(公開出願番号):特開2000-143397
特許番号:特許第3924604号
出願日: 1999年11月29日
公開日(公表日): 2000年05月23日
請求項(抜粋):
【請求項1】 液体封止剤を用いた縦型温度傾斜法または縦型ブリッジマン法によって製造されたSiドープガリウム砒素単結晶インゴットであって、該Siドープガリウム砒素単結晶インゴットの結晶肩部(固化率0.1)から結晶尾部(固化率0.8)までのキャリア濃度が1×1018cm-3〜2×1018cm-3であることを特徴とするSiドープガリウム砒素単結晶インゴット。
IPC (2件):
C30B 29/42 ( 200 6.01) ,  C30B 11/00 ( 200 6.01)
FI (2件):
C30B 29/42 ,  C30B 11/00 Z
引用特許:
審査官引用 (12件)
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