特許

J-GLOBAL ID：201103073824351288

基板処理装置

発明者： 藤川 和憲
出願人/特許権者： 大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (1件)： 杉谷 勉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-243599
公開番号（公開出願番号）：特開2003-059879
特許番号：特許第3976088号
出願日： 2001年08月10日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板を表面処理する処理部を備えた基板処理装置において、 前記処理部は、 基板の表面上に処理液を接触させて液膜を形成する基板液膜形成手段と、 前記基板液膜形成手段により表面上に液膜が形成された基板に、処理液よりも高い所定温度範囲内としての100°Cよりも高く200°C以下の範囲内の気体としてのオゾンを作用させてこの基板を表面処理する基板表面処理手段と を備え、 前記基板液膜形成手段は、 処理液が供給されて所定量の処理液を収容する処理槽と、 前記処理槽内において基板を起立姿勢にして保持しつつ、基板の処理液浸漬箇所を変更させて、基板全面にわたって液膜を形成させるように、前記処理槽内の処理液中に基板の一部を浸漬させた状態で基板を回転させる基板回転手段とを備え、 前記基板表面処理手段は、前記基板回転手段により前記処理槽内で回転される基板のうちの処理液浸漬箇所以外の箇所に、処理液よりも高い所定温度の気体としてのオゾンを作用させてこの基板を表面処理することを特徴とする基板処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/304 ( 200 6.01) ,  B08B 3/04 ( 200 6.01) ,  B08B 5/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/027 ( 200 6.01) ,  H01L 21/306 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 21/304 641 ,  H01L 21/304 643 A ,  B08B 3/04 A ,  B08B 5/00 Z ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/306 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体ウエハのオゾン水洗浄システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-226058   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体ウエハを洗浄する装置と方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-098085   出願人：エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
• 半導体基板のエツチング方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-259034   出願人：日本電気株式会社
• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-354785   出願人：東京エレクトロン株式会社