特許
J-GLOBAL ID:201103073863650675

誘導型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): ポレール特許業務法人
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-357620
公開番号(公開出願番号):特開2002-157705
特許番号:特許第4490579号
出願日: 2000年11月20日
公開日(公表日): 2002年05月31日
請求項(抜粋):
【請求項1】 基板上に形成された下部磁気コアと、前記下部磁気コアの浮上面側の上部に形成され、所定の形状にトリミングされた下部磁極端層と、前記下部磁極端層の後部に形成された無機絶縁層と、前記下部磁極端層と無機絶縁層の平坦化された上面に形成されたギャップ層と、前記ギャップ層の浮上面側に形成された上部磁極端層と、前記上部磁極端層の浮上面から後退した位置に磁気的に結合し、後端部で前記下部磁気コアに磁気的に結合するように形成された上部磁気コアと、前記上部磁気コアと下部磁気コアを周回するように形成されたコイルと、前記コイルと下部磁気コア及び上部磁気コアとの間に形成された絶縁層を有し、 前記上部磁極端層の浮上面からの長さが前記下部磁極端層の浮上面からの長さよりも大きく、前記上部磁極端層の幅が広がる位置の浮上面からの長さが、前記下部磁極端層の浮上面からの長さよりも小さく、 浮上面において、前記下部磁極端層の幅が前記上部磁極端層の幅より大きい部分を有し、 前記下部磁極端層のトリミングにより残された部分と、これに対向する前記上部磁極端層の幅は略同一であることを特徴とする誘導型薄膜磁気ヘッド。
IPC (1件):
G11B 5/31 ( 200 6.01)
FI (1件):
G11B 5/31 D
引用特許:
審査官引用 (5件)
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