広範囲メンブランマスクを製造する方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤田アキラ
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-538275
特許番号：特許第3950628号
出願日： 1999年03月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】多層半導体ウェハーに基づいて、100cm2以上までのサイズのメンブラン領域を有する広範囲メンブランマスクを製造するための方法にして、多層半導体ウェハーが幾つかの部分ステップでメンブランの厚さまで剥ぎ取られる方法において、 -第一シリコン層(1)、下に配された誘電層(2)及び下に配された第二シリコン層(3)を有するSOIシリコンウェハーが用いられ、 -上記第一シリコン層(1)は、最適なメンブランテンションのためにドープ処理され、マスク構造によって構造付与され、 -次いで、上記第二シリコン層(3)は、第一エッチングステップにおいて残り厚み(12)まで剥ぎ取られ、上記第一エッチングステップが、KOH浴において実現され、 -次いで、上記第二シリコン層(3)の上記残り厚み(12)は、第二エッチングステップにおいて剥ぎ取られ、上記誘電層(2)がエッチング停止を引き起こし、上記第二シリコン層(3)の剥ぎ取りが、初めに支持グリッド(14)を備えて、機械的にシールされたエッチング槽(10)において実行され、上記支持グリッド(14)は上記エッチング槽(10)から引き出された後にのみ取り除かれることを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ( 200 6.01) , G03F 1/14 ( 200 6.01) , G03F 1/16 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 21/30 531 M , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 541 S , G03F 1/14 A , G03F 1/16 A , G03F 1/16 B

引用特許：

出願人引用 (8件)

X線露光用マスクとそれに用いるブランク及びそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-273848 出願人：凸版印刷株式会社
転写マスク
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-125899 出願人：ホーヤ株式会社
転写マスクの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-038965 出願人：ホーヤ株式会社

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審査官引用 (14件)

特開昭58-215024
X線露光用マスクとそれに用いるブランク及びそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-273848 出願人：凸版印刷株式会社
特開昭58-098732

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