特許
J-GLOBAL ID：201103074254772299
集積回路構造およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-020773
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267566
特許番号：特許第3912990号
出願日： 2001年01月29日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に多層誘電体スタックを介して電極が積層されたICのための集積回路(IC)構造であって、
前記多層誘電体スタックは、第1の誘電体層と第2の誘電体層と第3の誘電体層との積層構造を備え、
前記第1および第3の誘電体層は、それぞれ、ZrO2、HfO2、TiO2、およびTa2O5からなる群から選択される第1の誘電体材料によって、2〜5オングストロームの厚さに構成され、
前記第2の誘電体層は、Al2O3、AlN、SiN、Si3N4、およびSiO2からなる群から選択される第2の誘電体材料によって、50オングストローム未満の厚さに構成されていることを特徴とする、集積回路構造。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/8246 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
H01L 29/78 301 G
, H01L 27/10 444 A
