特許
J-GLOBAL ID：201103074570168557

窒化物半導体装置

発明者：
好田 慎一

好田 慎一 について

, 
清水 順

清水 順 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (10件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-030128
公開番号（公開出願番号）：特開2011-166067
出願日： 2010年02月15日
公開日（公表日）： 2011年08月25日
要約：
【課題】シリコン基板の上に形成され、優れた高周波特性を有する窒化物半導体装置を実現できるようにする。【解決手段】窒化物半導体装置は、シリコン基板101と、シリコン基板101の上に形成された窒化物半導体からなるバッファ層102と、バッファ層102の上に形成された窒化物半導体からなる能動層103とを備えている。バッファ層は、シリコン基板101と接して形成された第1の層121と、第1の層121及び能動層103と接して形成された第2の層122とを含む。第1の層121と第2の層122との界面における炭素濃度は、1×1019原子/cm3以上且つ1×1021原子/cm3以下であり、第2の層122は、炭素濃度が第1の層121と接する部分において最も高く、能動層103と接する部分において最も低い。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコン基板と、 前記シリコン基板の上に形成された窒化物半導体からなるバッファ層と、 前記バッファ層の上に形成された窒化物半導体からなる能動層とを備え、 前記バッファ層は、前記シリコン基板と接して形成された第1の層と、前記第1の層及び前記能動層と接して形成された第2の層とを含み、 前記第1の層と前記第2の層との界面における炭素濃度は、1×1019原子/cm3以上且つ1×1021原子/cm3以下であり、 前記第2の層は、炭素濃度が前記第1の層と接する部分において最も高く、前記能動層と接する部分において最も低いことを特徴とする窒化物半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/205
Fターム (36件)：
5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB08 ,  5F045BB13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA58 ,  5F045DA59 ,  5F045DA66 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD05 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11
引用特許：
審査官引用 (4件)
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