窒素化合物半導体積層物、発光素子、光ピックアップシステム、および窒素化合物半導体積層物の製造方法。

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：深見久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-259254
公開番号（公開出願番号）：特開2003-069156
出願日： 2001年08月29日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】半導体レーザ、発光ダイオード等の発光素子に有用な窒素化合物半導体積層物を提供する。【解決手段】窒素化合物半導体積層物10において、窒素化合物半導体からなる第1の結晶層11上には、炭素を不純物として含む窒素化合物半導体の中間層12が形成され、その上には、窒素化合物半導体からなる第2の結晶層13が形成される。窒素化合物半導体は、たとえばGaNである。典型的に、第1の結晶層11は、単結晶層であり、第2の結晶層13はエピタキシャル成長層である。第2の結晶層13の表面は非常に平滑であり、発光素子の特性向上に寄与する。

請求項（抜粋）：

窒素化合物半導体からなる第1の結晶層、前記第1の結晶層上に直接形成され、かつ炭素を不純物として含む窒素化合物半導体からなる中間層、および前記中間層上に直接形成され、かつ窒素化合物半導体からなる第2の結晶層を備えることを特徴とする、窒素化合物半導体積層物。

IPC (4件)：

H01S 5/323 610 , C23C 16/34 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (4件)：

H01S 5/323 610 , C23C 16/34 , H01L 21/205 , H01L 33/00 C

Fターム (43件)：

4K030AA11 , 4K030BA38 , 4K030BB12 , 4K030CA05 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA06 , 4K030LA14 , 5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA48 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F045AA02 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC07 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC19 , 5F045AD12 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA63 , 5F073AA11 , 5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA51 , 5F073AA74 , 5F073BA05 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073CB19 , 5F073DA05 , 5F073DA35 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-193085 出願人：株式会社東芝
窒化物半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-233010 出願人：シャープ株式会社
窒化物半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-289805 出願人：シャープ株式会社

全件表示

引用文献：

審査官引用 (1件)

Effect of carbon doping on GaN:Er

前のページに戻る