特許
J-GLOBAL ID：201103075003237838

吸収型光変調器およびその製造方法

発明者：
清水 淳一

清水 淳一 について

, 
古嶋 裕司

古嶋 裕司 について


出願人/特許権者：
NEC化合物デバイス株式会社

NEC化合物デバイス株式会社 について


代理人 (1件)： 机 昌彦 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-198008
公開番号（公開出願番号）：特開2001-021851
特許番号：特許第3384447号
出願日： 1999年07月12日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 光吸収層を、前記光吸収層よりもバンドギャップエネルギーが大きいクラッド層で挾んだ多層構造で成るストライプ状導波路を半導体基板上に備え、前記光吸収層の一端から入射した光の吸収を前記光吸収層に印加した電界強度を変えることにより変化させる吸収型光変調器において、前記光吸収層の上部に隣接した第1の上部クラッド層と前記第1の上部クラッド層上部に設けた第2の上部クラッド層との間に、前記第1の上部クラッド層よりもp型不純物の拡散速度が遅く、且つ、キャリア濃度が前記第2の上部クラッド層よりも低い半導体層から成り、前記第2の上部クラッド層及び前記第2の上部クラッド層上方に設けた半導体層から前記第1の上部クラッド層にp型不純物が拡散するのを防止する不純物拡散防止層を設けたことを特徴とする吸収型光変調器。
IPC (2件)：
G02F 1/025 ,  G02F 1/017 503
FI (2件)：
G02F 1/025 ,  G02F 1/017 503
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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