GaN系半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-511367
特許番号：特許第4333362号
出願日： 2001年07月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】一チップ内に、第1の緩和振動周波数fr1を有する第1のストライプ構造と、第2の緩和振動周波数fr2を有する第2のストライプ構造を有するGaN系半導体レーザ装置であって、前記第1のストライプ構造の共振器を、前記第2のストライプ構造の共振器長よりも短くし、前記第1のストライプ構造の端面をエッチング端面とし、前記第2のストライプ構造の端面を、前記エッチング端面よりも外側で分割されたへき開端面とし、前記第1のストライプ構造の前端面反射率及び後端面反射率の平均を、前記第2のストライプ構造の前端面反射率及び後端面反射率の平均よりも大きくすることにより、前記第1の緩和振動周波数fr2を前記第2の緩和振動周波数fr2よりも大きくしたことを特徴とするGaN系半導体レーザ装置。

IPC (3件)：