特許
J-GLOBAL ID：201103075143856325
プラズマ処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
亀谷 美明
, 金本 哲男
, 萩原 康司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-291717
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100616
特許番号：特許第4602528号
出願日： 2000年09月26日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 真空処理室内において被処理体を載置可能な第1電極と,前記第1電極に対向配置された第2電極と,前記真空処理室内に処理ガスを導入するガス導入手段と,少なくとも前記第2電極に高周波電力を印加して前記処理ガスをプラズマ化する高周波電力供給手段とを備えたプラズマ処理装置において,
前記第2電極は,電極支持体と,前記被処理体に対する対向面を形成する電極板とを有し,
前記電極支持体と前記電極板との接触面には少なくともどちらか片方に絶縁被膜が形成され,
前記絶縁被膜の厚みは,50μm以下であり,
前記電極支持体はアルミニウムからなり,前記電極板はシリコンからなり,
前記絶縁被膜は,アルマイト被膜によりアルミニウムからなる前記電極支持体の表面に形成されることを特徴とする,プラズマ処理装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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