特許
J-GLOBAL ID:201103075201124747
プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の性能確認システム
発明者:
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (7件):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-245347
公開番号(公開出願番号):特開2002-056999
特許番号:特許第3723060号
出願日: 2000年08月11日
公開日(公表日): 2002年02月22日
請求項(抜粋):
【請求項1】 プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、 この電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、 入力端と出力端とを有し該入力端に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、 を具備し、 前記電極は、高周波電力配電体および整合回路を介して高周波電源と接続され、 前記プラズマ処理室内には前記電極に対向してサセプタ電極が設けられ、 該サセプタ電極の下部にはシャフトが接続され、このシャフトがチャンバ底部を貫通して設けられるとともに、シャフトの下端部とチャンバ底部とがベローズにより密閉接続され、 非プラズマ発光時に、前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端に接続される前記高周波電力配電体の端部で測定した前記プラズマ処理室の第1直列共振周波数f0 が、前記高周波電力配電体のインダクタンスLf および抵抗Rf 、前記電極とサセプタ電極との間のプラズマ電極容量Ce 、前記シャフトのインダクタンスLC および抵抗RC 、前記ベローズのインダクタンスLB および抵抗RB 、前記プラズマ処理室のチャンバ壁のインダクタンスLA および抵抗RA 、が順に直列に接続されてその終端の抵抗RA がアースされるとともに、抵抗Rf とプラズマ電極容量Ce との間に、前記電極と前記チャンバ壁との間の容量CC の一端がアースされた状態で接続された等価回路を形成しており、この等価回路のインピーダンス特性を計測することで定義され、 前記第1直列共振周波数f0 の3倍が、前記高周波電力の電力周波数fe より大きな値の範囲に設定されてなることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5件):
H05H 1/46
, C23C 16/509
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
FI (5件):
H05H 1/46 M
, C23C 16/509
, H01L 21/203 S
, H01L 21/205
, H01L 21/302 C
引用特許:
審査官引用 (7件)
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-338812
出願人:株式会社日立製作所
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イオン打込み装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-274046
出願人:株式会社日立製作所
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-198376
出願人:東京エレクトロン山梨株式会社
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