半導体のマイクロパッド形成

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：本田淳 , 池上美穂
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-541477
公開番号（公開出願番号）：特表2011-508983
出願日： 2008年12月16日
公開日（公表日）： 2011年03月17日
要約：

第1の半導体素子(12,52,74)の外部コンタクト(14,54,78)に達するマイクロパッド(30,70,42)を形成する方法である。銅から成るスタッド(20,24,66,88,82)を外部コンタクトの上に形成する。スタッドは、第1の半導体素子の表面上を延在する。銅から成るスタッドを錫溶液に浸漬する。錫(28)で、スタッドの銅の少なくとも95パーセントを、好ましくは99パーセント超を置換する。結果として、5重量パーセント未満の銅を含む錫マイクロパッドが得られる。マイクロパッドがほぼ純粋な錫であるので、金属間化合物ボンドは、第1の半導体素子のマイクロパッドがボンディングされない状態が続いている間は形成されない。より小さいマイクロパッド寸法が、金属間化合物ボンドが形成されないので得られる。第1の半導体素子を、当該第1の半導体素子に覆い被さる第2の半導体素子にボンディングする場合、ボンド寸法によって、積層チップの高さが極めて高くなることはない。

請求項（抜粋）：

外部コンタクトを有する第1の半導体素子を設ける工程と、銅スタッドを前記外部コンタクトの上に、前記スタッドが前記第1の半導体素子の表面上を延在するように形成する工程と、 5重量パーセント未満の銅を有する錫マイクロパッドを得るために、前記銅スタッドを錫溶液に浸漬し、前記溶液内において、前記スタッドの銅の少なくとも95パーセントを前記錫で置換する工程とを備える、方法。

IPC (6件)：

H01L 21/60 , H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 21/320 , H01L 23/52

FI (6件)：

H01L21/92 604D , H01L21/60 311Q , H01L25/08 B , H01L21/92 604M , H01L21/92 603B , H01L21/88 T

Fターム (39件)：

5F033GG02 , 5F033GG03 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033HH23 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ15 , 5F033JJ18 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033LL02 , 5F033LL09 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033NN03 , 5F033NN07 , 5F033NN13 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ00 , 5F033QQ08 , 5F033QQ19 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033VV07 , 5F033WW03 , 5F033WW04 , 5F044LL01 , 5F044QQ04 , 5F044QQ05 , 5F044RR03

引用特許：

審査官引用 (5件)

鉛フリーバンプの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-100474 出願人：アドバンスト・インターコネクト・テクノロジー・リミテッド
バンプの形成方法及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-079517 出願人：セイコーエプソン株式会社
スズまたはスズ合金の無電解めっき方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-332158 出願人：三菱電機株式会社, 上村工業株式会社

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