特許
J-GLOBAL ID：201103075538922661
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 勝
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-392970
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197853
特許番号：特許第3914431号
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 回路基板の一面に熱硬化性接着剤を供給する工程と、
半導体素子をこれに設けた2段突起形状のバンプ、バンプ台座部とバンプ頭頂部からなる2段突起のバンプ、またはバンプ台座部とバンプ頭頂部からなるスタッドバンプが前記回路基板の基板電極に合致する位置決め状態で前記接着剤を介し前記一面にバンプ上段が初期高さ未満となる変形を伴い圧着し仮固定する工程と、
前記半導体素子が仮固定された前記回路基板を上下反転させる工程と、
前記回路基板の他面に熱硬化性接着剤を供給する工程と、
別の半導体素子をこれに設けた2段突起形状のバンプ、バンプ台座部とバンプ頭頂部からなる2段突起のバンプ、またはバンプ台座部とバンプ頭頂部からなるスタッドバンプが前記回路基板の基板電極に合致する位置決め状態で前記接着剤を介し前記他面にバンプ上段が初期高さ未満となる変形を伴い圧着し仮固定する工程と、
前記回路基板の両面に仮固定された前記各半導体素子をそれぞれ前記回路基板に押し付ける方向に加圧しながら加熱することにより前記回路基板の両面側の前記接着剤を同時に熱硬化させて、前記各半導体素子の各々の前記バンプを前記回路基板の対向する前記基板電極にバンプ上段が仮固定時の高さ未満となる電気的接続状態に圧着する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 25/18 ( 200 6.01)
, H01L 25/07 ( 200 6.01)
, H01L 25/065 ( 200 6.01)
, H01L 21/60 ( 200 6.01)
H01L 25/08 Z
, H01L 21/60 311 S
