基板表面処理方法および基板表面処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：稲岡耕作 , 川崎実夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-265713
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075954
特許番号：特許第3884610号
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板を所定の温度で加熱しつつ、この基板の表面に酸を含む蒸気を供給することにより、基板表面の酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、この酸化膜除去工程に先だって、基板の表面の汚染物質を除去する汚染物質除去工程と、上記汚染物質除去工程の後、上記酸化膜除去工程の前に、上記基板を水洗および乾燥する工程とを含み、上記汚染物質除去工程は、基板の表面に酸を含む蒸気を導き、基板表面の汚染物質をエッチング除去するための気相エッチング工程を含むことを特徴とする基板表面処理方法。

IPC (3件)：

C23F 1/12 ( 200 6.01) , H01L 21/302 ( 200 6.01) , H01L 21/304 ( 200 6.01)

FI (6件)：

C23F 1/12 , H01L 21/302 , H01L 21/304 645 B , H01L 21/304 645 D , H01L 21/304 648 H , H01L 21/304 651 M

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体基板処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-270901 出願人：株式会社東芝
特開平3-291926
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-296413 出願人：株式会社東芝

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