特許
J-GLOBAL ID:201103075883994900

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三好 秀和 (外7名)
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-001274
公開番号(公開出願番号):特開2000-200865
特許番号:特許第3519299号
出願日: 1999年01月06日
公開日(公表日): 2000年07月18日
請求項(抜粋):
【請求項1】 単数又は複数の半導体チップと、該半導体チップが接合され、上部導電層、絶縁性セラミックスと下部導電層の積層構造を有し、前記下部導電層の下面が下に凸である絶縁基板と、該絶縁基板に密着するヒートシンクと、前記絶縁基板の周囲に位置し、前記ヒートシンクに螺着し、前記絶縁基板の周辺部に圧接する支持フレームとを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (1件):
H01L 23/40
FI (1件):
H01L 23/40 Z
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (3件)

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