特許
J-GLOBAL ID:201103076514015309
半導体光機能装置および半導体光機能素子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
亀谷 美明
, 金本 哲男
, 萩原 康司
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-343171
公開番号(公開出願番号):特開2001-159748
特許番号:特許第4656459号
出願日: 1999年12月02日
公開日(公表日): 2001年06月12日
請求項(抜粋):
【請求項1】 半導体基板上のp層とn層の間に形成された光吸収層を持つ半導体光機能素子であって,
互いに異なるバンドギャップを持つ領域が少なくとも2つ集積され,マルチモード干渉器を構成する前記光吸収層と,
前記光吸収層の少なくとも2つの領域を含む光変調器領域に同時に電気信号を入力するための電極と,
光の入出力面とを有することを特徴とする半導体光機能素子。
IPC (2件):
G02F 1/017 ( 200 6.01)
, G02F 1/025 ( 200 6.01)
FI (2件):
G02F 1/017 503
, G02F 1/025
引用特許:
出願人引用 (9件)
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特開平3-053225
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半導体光変調器及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-127497
出願人:日本電気株式会社
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特開平2-168227
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審査官引用 (9件)
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特開平3-053225
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半導体光変調器及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-127497
出願人:日本電気株式会社
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特開平3-053225
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引用文献:
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