特許

J-GLOBAL ID：201103076714762117

配線基板及び半導体装置

発明者： 村山 啓 ,  春原 昌宏 ,  白石 晶紀 ,  坂口 秀明
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-287132
公開番号（公開出願番号）：特開2011-129729
出願日： 2009年12月18日
公開日（公表日）： 2011年06月30日
要約：

【課題】接続パッドの下の下側配線層の配線密度を向上させることができる配線基板を提供する。【解決手段】配線層22と、配線層22の上に形成された絶縁層32と、絶縁層32の上に形成された接続パッドCと、絶縁層32を貫通して形成され、配線層22と接続パッドCとを接続するビア導体VC2とを含み、接続パッドCの1層下の配線層22は、接続パッドCに対応する領域に、接続パッドCより小さい面積のビア受け用電極部22a,22c(22x)と、それと分離された配線部22b(22y)とを備えて形成され、ビア受け用電極部22a,22c(22x)がビア導体VC2を介して接続パッドCに接続されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

配線層と、 前記配線層の上に形成された絶縁層と、 前記絶縁層の上に形成された接続パッドと、 前記絶縁層を貫通して形成され、前記配線層と前記接続パッドとを接続するビア導体とを有し、 前記接続パッドの1層下の前記配線層は、 前記接続パッドに対応する領域に、前記接続パッドより小さい面積のビア受け用電極部と、前記ビア受け用電極部と分離された配線部とを備えて形成され、 前記ビア受け用電極部が前記ビア導体を介して前記接続パッドに接続されていることを特徴とする配線基板。

IPC (3件)：

H05K 3/46 ,  H05K 3/34 ,  H01L 23/12

FI (3件)：

H05K3/46 N ,  H05K3/34 501E ,  H01L23/12 Q

Fターム (14件)：

5E319AB06 ,  5E319AC12 ,  5E319AC20 ,  5E319BB05 ,  5E319CC33 ,  5E319GG20 ,  5E346AA43 ,  5E346BB02 ,  5E346BB11 ,  5E346BB16 ,  5E346BB20 ,  5E346EE31 ,  5E346FF45 ,  5E346HH25

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体パッケージ及びその製造方法並びに半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-130840   出願人：新光電気工業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-000735   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-153272   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-332760   出願人：セイコーエプソン株式会社