半導体発光素子用エピタキシャルウェハ、その製造方法および半導体発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：内田幸男 , 柿沼伸司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-284625
公開番号（公開出願番号）：特開2001-111104
特許番号：特許第4376373号
出願日： 1999年10月05日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】有機金属化学気相成長法(MOCVD法)により、少なくともそれぞれAlGaInP系材料からなる下部クラッド層、活性層および上部クラッド層を半導体基板上に順次エピタキシャル成長させる半導体発光素子用エピタキシャルウェハの製造方法において、下部クラッド層の成長と活性層の成長の間または活性層の成長と上部クラッド層の成長の間の少なくとも一方で、エピタキシャル成長を一旦中断し、PH3を含むガス雰囲気中で5〜30分間半導体基板を保持することを特徴とする半導体発光素子用エピタキシャルウェハの製造方法。

IPC (1件)：