特許
J-GLOBAL ID：200903044588553020
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-216545
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068150
出願日： 1997年08月11日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 ダブルヘテロ型の発光素子において、クラッド層から活性層への不純物の拡散侵入を効果的に抑制することにより、発光特性の劣化を防ぎ、高輝度且つ長寿命を有する半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 活性層の上下に積層されるクラッド層において、活性層近傍に、成長中断や、格子定数の調節により形成する歪み格子層を導入することにより、クラッド層にドープされた不純物がトラップされ、活性層への拡散侵入が阻止されて、高輝度且つ長寿命の半導体発光素子を得ることができる。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成されたIII-V族化合物半導体からなる第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層の上に形成されたIII-V族化合物半導体からなる活性層と、前記活性層の上に形成されたIII-V族化合物半導体からなる第2のクラッド層と、を備えた半導体発光素子であって、前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層のうちの少なくともいずれかにおいて、前記クラッド層から前記活性層に不純物が拡散侵入することを防ぐように、結晶欠陥を有する格子歪み層が設けられていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (5件)
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半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-242952
出願人：ソニー株式会社
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AlGaInP半導体レーザ素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-020245
出願人：日本電気株式会社
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半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-287770
出願人：富士通株式会社
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