特許
J-GLOBAL ID：201103077275762381
窒化ガリウム系化合物半導体成長用基板の洗浄方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 内藤 浩樹
, 永野 大介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-222297
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043270
特許番号：特許第3994640号
出願日： 2000年07月24日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる前の窒化ガリウム系化合物半導体成長用基板の洗浄方法であって、
沸点よりも低い温度に維持した有機溶媒を用いて基板洗浄する有機洗浄工程を備えた窒化ガリウム系化合物半導体成長用基板の洗浄方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 ( 200 6.01)
, B08B 3/08 ( 200 6.01)
, B08B 3/10 ( 200 6.01)
, B08B 7/00 ( 200 6.01)
H01L 21/304 647 A
, H01L 21/304 647 Z
, H01L 21/304 645 D
, B08B 3/08 Z
, B08B 3/10 Z
, B08B 7/00
