発光装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-007139
公開番号（公開出願番号）：特開2011-124590
出願日： 2011年01月17日
公開日（公表日）： 2011年06月23日
要約：

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを可能とすることを目的する。また、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】基板上に金属層11を設け、さらに前記金属層11に接して酸化物層12を設け、さらに被剥離層13を形成し、前記金属層11をレーザー光で照射することで酸化を行い、金属酸化物層16を形成させれば、物理的手段で金属酸化物層12の層内または金属酸化物層16と酸化物層12との界面において、きれいに分離することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に金属層と、前記金属層に接する酸化物層と、を形成し、前記金属層の一部を除去し、前記酸化物層の上方に半導体素子を含む被剥離層を形成し、前記金属層を酸化させることで前記酸化物層との間に金属酸化物層を形成し、前記被剥離層と支持体とを接着した後、前記支持体に接着された前記被剥離層を前記基板から物理的手法により前記金属層と前記酸化物層の間において剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (8件)：

H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/20 , G02F 1/136 , H05B 33/10 , H01L 51/50

FI (7件)：

H01L27/12 B , H01L29/78 627D , H01L27/12 R , H01L21/20 , G02F1/1362 , H05B33/10 , H05B33/14 A

Fターム (124件)：

2H092JA23 , 2H092JA25 , 2H092JB57 , 2H092KA03 , 2H092KB24 , 2H092KB25 , 2H092MA25 , 2H092MA31 , 2H092NA27 , 2H092PA01 , 2H092PA06 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC43 , 3K107CC45 , 3K107DD17 , 3K107EE04 , 3K107GG26 , 3K107GG28 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE15 , 5F110EE22 , 5F110EE23 , 5F110EE42 , 5F110FF04 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HM13 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ04 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ16 , 5F110QQ23 , 5F110QQ25 , 5F110QQ28 , 5F152BB02 , 5F152CC02 , 5F152CC03 , 5F152CD13 , 5F152CD15 , 5F152CD17 , 5F152CE05 , 5F152CE14 , 5F152CE24 , 5F152CE45 , 5F152CF18 , 5F152DD07 , 5F152EE14 , 5F152FF03 , 5F152FF06 , 5F152FF07 , 5F152FF21 , 5F152FF30 , 5F152FF36 , 5F152FF47 , 5F152FG01 , 5F152FG04 , 5F152FG18 , 5F152FH05 , 5F152LP01 , 5F152LP06 , 5F152MM01 , 5F152MM02 , 5F152MM04 , 5F152MM11 , 5F152NN12 , 5F152NN14 , 5F152NN16 , 5F152NN19 , 5F152NN20 , 5F152NP13 , 5F152NP14 , 5F152NQ03 , 5F152NQ12

引用特許：

審査官引用 (4件)

薄膜素子の転写方法,薄膜素子,薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板および液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-315590 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-216690 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
有機ELカラー表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-022849 出願人：株式会社豊田自動織機

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