面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザアレイ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：布施行夫 , 大渕美千栄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-374785
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189525
特許番号：特許第3791584号
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】共振器が半導体基板上に垂直方向に形成され、該共振器より該半導体基板に垂直な方向へレーザ光を出射する面発光型半導体レーザであって、少なくとも前記共振器の一部を含む柱状の半導体堆積体と、前記半導体堆積体の外側面に接触して形成され、エネルギー照射により硬化する樹脂からなる絶縁層とを含み、前記絶縁層は、その平面形状に起因した異方的な応力を有し、該異方的な応力によりレーザ光の偏光方向の制御を行う、面発光型半導体レーザ。

IPC (1件)：