特許
J-GLOBAL ID：201103078479825427
AlGaInP系発光ダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寺田 實
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-339070
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156333
特許番号：特許第4050435号
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 発光層および該発光層上のクラッド層を含むIII-V族化合物半導体構成層、オーミック電極、台座電極及び発光透過用窓層を有するAlGaInP系発光ダイオードにおいて、オーミック電極がクラッド層上に形成され、発光透過用窓層がクラッド層上にあって、オーミック電極を覆って形成され、台座電極が発光透過用窓層上でその下面全体が該窓層に接して形成され、クラッド層と伝導形が反対のIII-V族化合物半導体層(以後、III-V族化合物半導体接合層とする)がクラッド層表面上の台座電極の射影領域に形成され、発光層が(AlxGa1-x)0.5In0.5P(0≦x≦1)から構成され、クラッド層がAlGaInPから構成され、III-V族化合物半導体接合層が(AlyGa1-y)0.5In0.5P(x≦y≦1)から構成され、前記オーミック電極は前記射影領域以外のクラッド層上に分散されて配置されていることを特徴とするAlGaInP系発光ダイオード。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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