特許

J-GLOBAL ID：201103079307029951

面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置

発明者： 軸谷 直人 ,  原坂 和宏 ,  菅原 悟 ,  佐藤 俊一
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 立石 篤司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-129598
公開番号（公開出願番号）：特開2011-159943
出願日： 2010年06月07日
公開日（公表日）： 2011年08月18日
要約：

【課題】高い出力で単一基本横モード動作をさせつつ、偏光方向を安定化させることができる面発光レーザ素子を提供する。【解決手段】 射出領域内に、屈折率1.45のSiO2からなる誘電体層の上に、屈折率1.87のSiNからなる誘電体層がそれぞれλ/4の光学的厚さで積層され、反射率を高くする高反射率領域116を有し、該高反射率領域116は、射出領域の中心部を含んで設けられ、射出領域に平行な面内の互いに直交する2方向において、形状異方性を有している。また、射出領域内には、SiNからなる誘電体層がλ/4の光学的厚さで、高反射率領域116を取り囲むように形成され、反射率を低くする低反射率領域115を有している。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

射出領域からレーザ光を射出する面発光レーザ素子において、 前記射出領域内に、屈折率が異なる複数の誘電体膜が積層され、反射率を高くした高反射率領域を有し、 前記高反射率領域は、前記射出領域の中心部を含んで設けられ、前記射出領域に平行な面内の互いに直交する2方向において、形状異方性を有することを特徴とする面発光レーザ素子。

IPC (3件)：

H01S 5/183 ,  H01S 5/42 ,  B41J 2/44

FI (3件)：

H01S5/183 ,  H01S5/42 ,  B41J3/00 D

Fターム (33件)：

2C362AA03 ,  2C362AA07 ,  2C362AA13 ,  5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC14 ,  5F173AC26 ,  5F173AC35 ,  5F173AC42 ,  5F173AC52 ,  5F173AC61 ,  5F173AD05 ,  5F173AH02 ,  5F173AH13 ,  5F173AL10 ,  5F173AL13 ,  5F173AL14 ,  5F173AL19 ,  5F173AL21 ,  5F173AP05 ,  5F173AP09 ,  5F173AP33 ,  5F173AP67 ,  5F173AP73 ,  5F173AR14 ,  5F173AR33 ,  5F173AR43 ,  5F173AR93 ,  5F173MA06 ,  5F173MD65 ,  5F173ME44 ,  5F173SA33 ,  5F173SC07

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 面発光型半導体レーザおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-123558   出願人：ソニー株式会社
• 面発光型半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-017349   出願人：ソニー株式会社
• 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザの製造方法、モジュール、光源装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置および光空間伝送システム。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-126571   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 面発光型半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-081777   出願人：三洋電機株式会社
• 面発光型半導体レーザとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-191699   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-214447   出願人：富士ゼロックス株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Electronics Letters, 19910606, Vol.27 No.12, p.1067-1069