特許

J-GLOBAL ID：201103080468652070

銅及びシリコンが表面に露出したウェーハの研磨方法

発明者： 森永 均 ,  安福 昇 ,  篠田 敏男
出願人/特許権者： 株式会社フジミインコーポレーテッド
代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-089695
公開番号（公開出願番号）：特開2011-222715
出願日： 2010年04月08日
公開日（公表日）： 2011年11月04日
要約：

【課題】銅又は銅合金面とシリコン面が露出したウェーハの研磨時に起こりうるウェーハの銅汚染を抑えることが可能な研磨方法を提供する。【解決手段】本発明の研磨方法では、0.02〜0.6質量%の過酸化水素を含有した研磨用組成物を用いて、銅又は銅合金面とシリコン面が露出したウェーハを研磨する。研磨用組成物は、錯化剤、無機電解質及び砥粒の少なくともいずれかをさらに含有することが好ましい。研磨用組成物のpHは10以上であることが好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

0.02〜0.6質量%の過酸化水素を含有した研磨用組成物を用いて、銅又は銅合金面とシリコン面が露出したウェーハを研磨することを特徴とする研磨方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00

FI (4件)：

H01L21/304 621D ,  B24B37/00 H ,  H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622X

Fターム (17件)：

3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA17 ,  5F057AA21 ,  5F057AA28 ,  5F057BA22 ,  5F057BB15 ,  5F057BB23 ,  5F057CA12 ,  5F057DA03 ,  5F057EA03 ,  5F057EA21 ,  5F057EA22 ,  5F057EA23 ,  5F057EA33

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 研磨剤および研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-305238   出願人：旭硝子株式会社, セイミケミカル株式会社
• 銅/ルテニウム/タンタル基板のCMP
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2009-535365   出願人：キャボットマイクロエレクトロニクスコーポレイション
• 両親媒性非イオン性界面活性剤を利用したCMP法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-542717   出願人：キャボットマイクロエレクトロニクスコーポレイション