特許
J-GLOBAL ID：200903052731099672
研磨剤および研磨方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (3件)：
林 恒徳
, 淺野 隆正
, 土井 健二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-305238
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294798
出願日： 2004年10月20日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：
【課題】半導体集積回路装置の製造における被研磨面の研磨において、高い研磨速度を持ち、ディッシングやエロージョンの発生を抑制できる研磨剤を提供する。【解決手段】 半導体集積回路装置の被研磨面を研磨するための化学的機械的研磨用研磨剤中に(A)酸化物微粒子と(B)プルランと(C)水とを含有させる。さらに、(D)酸化剤と、(E)式(1)で表される化合物(ただし、Rは水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基またはカルボン酸基である。)とを含有させてもよい。【化3】【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
半導体集積回路装置の製造において被研磨面を研磨するための化学的機械的研磨用研磨剤であって、
(A)酸化物微粒子と、
(B)プルランと、
(C)水
とを含有する研磨剤。
IPC (3件)：
H01L21/304
, B24B37/00
, C09K3/14
H01L21/304 622D
, H01L21/304 622X
, B24B37/00 H
, C09K3/14 550D
, C09K3/14 550Z
3C058AA07
, 3C058AA09
, 3C058CB01
, 3C058DA12
, 3C058DA17
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (3件)
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