半導体ベアチップおよび半導体ウエーハ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：池田憲保 , 山本格介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-101895
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284538
特許番号：特許第4271825号
出願日： 2000年04月04日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】表面上に集積回路が形成された半導体ベアチップに於いて、前記半導体ベアチップの裏面にグラニュラー磁性薄膜からなる磁気損失膜を設け、前記グラニュラー磁性薄膜からなる磁気損失膜が、M-X-Y(Mは磁性金属元素、YはOあるいはN,Fのいずれか、XはM、Y以外の元素)なる組成を有し、M成分の比率がM成分のみからなるバルク金属磁性体の飽和磁化に対して35%以上80%以下であることを特徴とする半導体ベアチップ。

IPC (3件)：