特許
J-GLOBAL ID：201103081058885251
深いトレンチキャパシター蓄積電極の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
志賀 正武 (外8名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-316013
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144265
特許番号：特許第3457236号
出願日： 1999年11月05日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板に適用され、ハードマスク膜により前記基板上に深いトレンチをパターニングするとともに、前記基板および前記ハードマスク膜間にパッド絶縁膜を有するものであって、少なくとも、前記深いトレンチ中に絶縁材料を形成し、前記絶縁材料が前記深いトレンチを全面的に充填することなく、前記絶縁材料より高い前記深いトレンチの側壁表面を露出させるステップと、前記絶縁材料より高い前記深いトレンチの側壁上に硬質材料スペースウォールを形成するステップと、前記絶縁材料を除去して、前記深いトレンチ底部の前記基板表面を露出させるステップと、前記深いトレンチの露出された底部表面を酸化して、その底部表面に酸化物膜を形成するステップと、前記酸化物膜を除去して、ボトル状の深いトレンチを形成するステップと、前記ボトル状の深いトレンチ中にドーピング膜を形成して、前記深いトレンチ底部の露出された前記基板表面を被覆するステップと、加熱工程を行って、前記深いトレンチ底部の前記基板にドーピング領域を形成し、前記深いトレンチの蓄積電極とするステップとを具備する深いトレンチキャパシター蓄積電極の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/8242
, H01L 27/108
