特許

J-GLOBAL ID：201103081542130460

パターン化薄膜形成方法およびマイクロデバイスの製造方法

発明者： 上島 聡史 ,  石田 洋一 ,  照沼 幸一
出願人/特許権者： TDK株式会社
代理人 (1件)： 星宮 勝美
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-336871
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142422
特許番号：特許第3691780号
出願日： 2001年11月01日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 下地の上に被パターニング膜を形成する工程と、 前記被パターニング膜の上に、パターン化された第1の膜を形成する工程と、 前記被パターニング膜および前記第1の膜の上の全面に第2の膜を形成する工程と、 前記第1の膜を剥離することによって、前記被パターニング膜の上に形成された第2の膜によってエッチングマスクを形成する工程と、 前記エッチングマスクを用い、ドライエッチングによって前記被パターニング膜を選択的にエッチングすることによって、パターン化薄膜を形成する工程とを備え、 前記第1の膜を形成する工程は、ネガ型レジストよりなる単一のレジスト層をパターニングすることによって第1の膜を形成し、 前記第1の膜は、定在波効果によって凹凸が形成された側壁部を有することを特徴とするパターン化薄膜形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/28 ,  G11B 5/31 ,  G11B 5/39 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 43/12

FI (5件)：

H01L 21/28 E ,  G11B 5/31 M ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/12 ,  H01L 21/88 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-347783   出願人：松下電器産業株式会社
• 配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-130964   出願人：沖電気工業株式会社
• T字型電極の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-219453   出願人：沖電気工業株式会社
• 薄膜磁気ヘッド素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-205926   出願人：松下電器産業株式会社