特許
J-GLOBAL ID：201103081733667102

半導体装置及びその製造方法

発明者：
野世 幸之

野世 幸之 について

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藤本 敬一

藤本 敬一 について

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船越 久士

船越 久士 について

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乾 忠久

乾 忠久 について

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新井 良之

新井 良之 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (2件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-038031
公開番号（公開出願番号）：特開2000-235992
特許番号：特許第3853101号
出願日： 1999年02月17日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 主面上に電極パッドを有する半導体チップと、 上記半導体チップの上方で上記電極パッドの近傍まで延びる複数のリードと、 上記半導体チップの上かつ上記複数のリードの下方に配置され、第1の絶縁層を挟んで上記複数のリードに対向する第1の導体膜と、 上記複数のリードの上方に配置され、第2の絶縁層を挟んで上記複数のリードに対向する第2の導体膜と、 上記半導体チップ上の電極パッドと上記リードとを電気の導通可能に接続する接続部材と、 上記半導体チップ,上記リードの一部,上記第1,第2の導体膜及び上記接続部材を一体的に封止する封止樹脂とを備え、 上記第1,第2の導体膜の電位は、グランド電位となるように構成されており、 上記第1の導体膜及び第1の絶縁層のうち上記各リード同士の間隙となる部分に形成され、上記第1の導体膜及び第1の絶縁層を上下方向に貫通するスリットをさらに備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 ( 200 6.01) ,  H01L 23/50 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/60 301 B ,  H01L 23/50 Y ,  H01L 23/50 S
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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