特許
J-GLOBAL ID：201103082694180124

グラフェン薄膜の製膜方法

発明者：
藤井 健志

藤井 健志 について

, 
清水 了典

清水 了典 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 松本 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-264804
公開番号（公開出願番号）：特開2011-105569
出願日： 2009年11月20日
公開日（公表日）： 2011年06月02日
要約：
【課題】作製したグラフェン薄膜の電気抵抗が増大せず、高い伝導率が確保されるとともに、300°C以下程度の低温プロセスでも作製可能な、グラフェン薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】酸化グラフェン粉末を液体中に分散させた分散液を基板20に塗布し、液体を除去して、酸化グラフェン薄膜10を基板20上に形成し、この酸化グラフェン薄膜10の上に金属21を接触させて、金属21を加熱溶融することによって、酸化グラフェン薄膜21を還元し、グラフェン薄膜を得る。ここで、酸化グラフェンは、酸化グラファイトを単層に剥離することによって得られることが好ましい。また、金属21がGa、In、Zn、Cd、Sn、Pb、Biの金属元素、及びこれらの金属元素の合金であることが好ましい。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
酸化グラフェン粉末を液体中に分散させた分散液を基板に塗布し、液体を除去して、酸化グラフェン薄膜を基板上に形成し、この酸化グラフェン薄膜の上に金属を接触させて、金属を加熱溶融することによって、酸化グラフェン薄膜を還元し、グラフェン薄膜を得ることを特徴とするグラフェン薄膜の製膜方法。
IPC (3件)：
C01B 31/04 ,  B82B 3/00 ,  H01B 13/00
FI (3件)：
C01B31/04 101Z ,  B82B3/00 ,  H01B13/00 503B
Fターム (20件)：
4G146AA02 ,  4G146AB07 ,  4G146AC03 ,  4G146AC20 ,  4G146AD23 ,  4G146BA08 ,  4G146BA43 ,  4G146BA49 ,  4G146CB10 ,  4G146CB11 ,  4G146CB12 ,  4G146CB13 ,  4G146CB17 ,  4G146CB34 ,  4G146CB36 ,  4G146CB39 ,  5G323BA05 ,  5G323BB01 ,  5G323BB06 ,  5G323BC02
引用特許：
審査官引用 (6件)
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