電解放出エミッタ、その製造方法及びそれを用いた電解放出表示素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：服部雅紀
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-179640
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023508
特許番号：特許第3499194号
出願日： 2000年06月15日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】絶縁基板上に半導体層、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を具備する薄膜トランジスタを形成する段階と、前記薄膜トランジスタが形成された絶縁基板の全面に保護絶縁膜を形成する段階と、前記ドレイン電極の一部が露出されるように前記保護絶縁膜の一部を蝕刻する段階と、前記露出されたドレイン電極の表面上にカーボンナノチューブ膜を直接成長させる段階と、を含み、前記カーボンナノチューブ膜と接触する前記ドレイン電極の少なくとも表面上にカーボンナノチューブ成長のための触媒金属層を、前記薄膜トランジスタを形成する段階において形成することを特徴とする電界放出エミッタの製造方法。

IPC (4件)：