単結晶育成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木下茂
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-311779
公開番号（公開出願番号）：特開2001-130996
特許番号：特許第4330230号
出願日： 1999年11月02日
公開日（公表日）： 2001年05月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】チョクラルスキー法による単結晶引上げにおいて、単結晶のネック部のみを育成し、該ネック部を一旦炉から取り出して、エッチング液を用いて選択エッチング処理した該ネック部の結晶表面の観察により転位状態を検査し、該ネック部がその上端から下端に至るまでの途中で無転位化したと判定した場合は、該ネック部育成時の引上げ条件で、再度、種結晶からネック部を育成し、引き続いて、肩部、直胴部、尾部形成までの単結晶引上げ工程を実施し、一方、前記ネック部が下端まで有転位と判定した場合は、引上げ条件を修正し、再度、種結晶からネック部を育成して上記検査工程を繰り返すことを特徴とする単結晶育成方法。

IPC (2件)：