特許
J-GLOBAL ID：201103084273255101
半導体発光素子
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-054294
公開番号（公開出願番号）：特開2011-187873
出願日： 2010年03月11日
公開日（公表日）： 2011年09月22日
要約：
【課題】本発明は、高効率の半導体発光素子を提供する。【解決手段】凹凸(第1半導体層凹凸17r)が設けられた第1主面10aを有する第1導電型の第1半導体層10と、第1半導体層の第1主面とは反対の側に設けられた第2導電型の第2半導体層20と、第1半導体層と第2半導体層との間に設けられた発光層30と、第1半導体層の第1主面の側に設けられ、第1半導体層よりも不純物濃度が低く、凹凸を露出させる開口部を有する第3半導体層15と、前記開口部を介して前記凹凸に接し、発光層から放出される発光光に対して反射性を有する第1電極40と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子が提供される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
凹凸が設けられた第1主面を有する第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層の前記第1主面とは反対の側に設けられた第2導電型の第2半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、
前記第1半導体層の前記第1主面の側に設けられ、前記第1半導体層よりも不純物濃度が低く、前記凹凸を露出させる開口部を有する第3半導体層と、
前記開口部を介して前記凹凸に接し、前記発光層から放出される発光光に対して反射性を有する第1電極と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 210
, H01L33/00 172
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041AA11
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CA83
, 5F041CA87
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CB02
, 5F041CB15
, 5F041CB36
, 5F041EE25
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
