特許
J-GLOBAL ID：200903057731244380
半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-314052
公開番号（公開出願番号）：特開2008-130799
出願日： 2006年11月21日
公開日（公表日）： 2008年06月05日
要約：
【課題】歩留まりを向上することができる半導体発光素子およびその半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】導電性基板と、導電性基板上に形成された接着用金属層と、接着用金属層上に形成されたバリア層と、バリア層上に形成された反射層と、反射層上に形成されたオーミック電極層と、オーミック電極層上に形成された第2導電型半導体層と、第2導電型半導体層上に形成された発光層と、発光層上に形成された第1導電型半導体層と、を含み、第2導電型半導体層、発光層および第1導電型半導体層の外周が除去されている半導体発光素子とその半導体発光素子の製造方法である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
導電性基板と、前記導電性基板上に形成された接着用金属層と、前記接着用金属層上に形成されたバリア層と、前記バリア層上に形成された反射層と、前記反射層上に形成されたオーミック電極層と、前記オーミック電極層上に形成された第2導電型半導体層と、前記第2導電型半導体層上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第1導電型半導体層と、を含み、
前記第2導電型半導体層、前記発光層および前記第1導電型半導体層の外周が除去されていることを特徴とする、半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F041AA03
, 5F041AA40
, 5F041AA41
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CA84
, 5F041CB15
出願人引用 (1件)
審査官引用 (20件)
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