特許
J-GLOBAL ID：201103084350150172

半導体装置、及び半導体装置の特性劣化検出方法

発明者：
深海 郁夫

深海 郁夫 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-218824
公開番号（公開出願番号）：特開2011-071174
出願日： 2009年09月24日
公開日（公表日）： 2011年04月07日
要約：
【課題】半導体装置の故障に繋がるような特性劣化を検出することができる半導体装置、及び半導体装置の特性劣化検出方法を提供することである。【解決手段】本発明にかかる半導体装置(IPD)1は、IPD1の初期特性値に基づき定められた設定値を記憶する設定値記憶部3と、所定のタイミングにおけるIPD1の特性値と設定値記憶部3に記憶された設定値とに基づき、IPD1の特性劣化を検出する検出回路4と、を備える。また、本発明にかかる半導体装置(IPD)1の特性劣化検出方法は、初期特性値に基づき定められた設定値を記憶し、所定のタイミングにおけるIPD1の特性値と記憶された設定値とに基づき、IPD1の特性劣化を検出する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体装置の初期特性値に基づき定められた設定値を記憶する設定値記憶部と、 所定のタイミングにおける前記半導体装置の特性値と前記設定値記憶部に記憶された設定値とに基づき、前記半導体装置の特性劣化を検出する検出回路と、 を備える半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H02M 1/00
FI (7件)：
H01L27/04 H ,  H01L27/04 T ,  H01L27/04 B ,  H01L27/04 V ,  H01L29/78 652D ,  H01L29/78 658L ,  H02M1/00 H
Fターム (19件)：
5F038AV13 ,  5F038AZ08 ,  5F038BB05 ,  5F038BH02 ,  5F038BH14 ,  5F038BH16 ,  5F038DT12 ,  5F038DT17 ,  5F038EZ20 ,  5H740AA08 ,  5H740BA12 ,  5H740BB01 ,  5H740BB07 ,  5H740BC01 ,  5H740BC02 ,  5H740JA01 ,  5H740JB01 ,  5H740KK01 ,  5H740MM11
引用特許：
審査官引用 (8件)
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